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HRD3L140SPTL1
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET具有良好的电气性能，最大连续漏极电流ID为20A，适用于中等功率的应用场景；其漏源电压VDSS达到60V，适合在相对较低电压环境中工作；导通电阻RDSON为64mΩ，保证了较低的内阻损耗；栅源电压VGS支持20V，提供了足够的驱动电压范围。该产品非常适合于消费电子产品中的开关控制、电源管理和保护电路设计，能够有效提高系统的稳定性和效率。
- 商品型号
- HRD3L140SPTL1
- 商品编号
- C42401357
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
HRD3L140SPTL1采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60V,漏极电流ID = -20A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 72 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 100 mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理