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HSTD15NF10T4
N沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的额定电流，能够承受高达100V的漏源极间电压(VDSS)，且其导通电阻(RDS(on))仅为80毫欧，在20V的栅源极电压(VGS)下工作稳定。这些特性使得它非常适合应用于需要高效能开关操作和低热耗散的电路中，如电源管理、信号处理等电子系统。其紧凑的设计和优异的性能，为复杂电子设备提供了可靠的解决方案。
- 商品型号
- HSTD15NF10T4
- 商品编号
- C42401353
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.436667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
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