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HFQA28N50
耐压:500V 电流:28A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管拥有28A的大电流处理能力，能够承受高达500V的漏源电压，导通电阻为150mΩ，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。其栅源电压范围达到20V，确保了在多种电路设计中实现稳定且快速的开关操作。适合于电源转换、逆变器以及各类需要高性能开关元件的电子设备中使用。
- 商品型号
- HFQA28N50
- 商品编号
- C42401351
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.226667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HFQA28N50采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 500 V,漏极电流ID = 28 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 180 mΩ
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器