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HCSD17576Q5B
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备卓越的电气性能，适用于多种电子设计需求。其最大连续漏极电流ID可达150A，支持高功率应用；漏源电压VDSS为30V，适合较低电压环境下的操作；导通电阻仅为2毫欧姆，有效减少能耗并提高系统效率；栅源电压VGS范围至20V，提供广泛的驱动条件选择。该MOSFET以其低内阻和大电流承载能力，在需要高效能开关或线性控制的场合表现出色。
- 商品型号
- HCSD17576Q5B
- 商品编号
- C42401350
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
HCSD17576Q5采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并支持低至4.5V的栅极电压工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ,VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源