温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HCSD19531Q5A
1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有出色的电气特性，适用于多种电子电路设计。其最大漏极电流ID为75A，能够处理较大功率负载；耐压VDSS达到100V，确保了在较高电压环境下的稳定工作；导通电阻RDON仅为7.3毫欧姆，有效降低了功耗并提高了效率；栅源电压VGS支持高达20V，提供了灵活的驱动电压范围。凭借这些优异参数，该MOSFET非常适合于需要高性能开关或放大功能的应用场景中使用。
- 商品型号
- HCSD19531Q5A
- 商品编号
- C42401349
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.046nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 865pF |