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HSTD35NF06LT4
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，最大漏极电流ID可达50A，漏源极断态电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至15mΩ，栅源极电压VGS范围为±20V。这些特性使得它非常适合用于高效率开关电源、电池管理以及各类电子设备中的信号放大与开关控制应用。其低导通电阻有助于减少热损耗，提高系统整体能效。此MOSFET的紧凑设计也有助于节省电路板空间，满足现代电子产品对小型化、高性能的需求。
- 商品型号
- HSTD35NF06LT4
- 商品编号
- C42401348
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.498nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品概述
HSTD35NF06LT4采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V,漏极电流ID = 50A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 17mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源