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HSQD50P0307T4GE3
耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备强大的电流处理能力，其最大漏极电流（ID/A）为80A，适用于高功率需求的电路设计。器件设计可承受最高30V的工作电压（VDSS/V），适合应用于需要稳定高压操作的环境。其低导通电阻（RDSON/mR）仅为5.5毫欧，能够在大电流条件下有效减少发热和能量损失。栅源电压（VGS/V）为25V时，可以确保精确的开关控制。此MOSFET适用于各类电子设备中的电源管理模块、逆变电路以及其他需要高性能开关的应用。
- 商品型号
- HSQD50P0307T4GE3
- 商品编号
- C42401345
- 商品封装
- TO-252-2L(TO-252AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSQD50P0307T4GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -70A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源