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HCSD19533Q5A
耐压:100V 电流:75A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）设计用于高性能电子应用，支持最大漏极电流ID达80A，拥有高达100V的最大漏源电压VDSS。其导通电阻仅为6.4毫欧姆，有效降低了工作时的能耗。该MOSFET在栅源电压VGS为20V条件下可达到最佳性能状态。适用于要求严格控制与高效能转换的各种场合，如电源管理、开关电路以及其他需要快速切换和低功耗特性的电子产品中。
- 商品型号
- HCSD19533Q5A
- 商品编号
- C42401347
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HCSD19533Q5A采用先进的SGT MOSFET技术,具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用