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HFDG6332C
N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:0.75A
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- 描述
- 这款场效应管（MOSFET）属于N+P沟道类型，其最大导通电流（ID/A）为0.8A，在保证安全使用的前提下，可承受的最大电压（VDSS/V）为20V。当栅源电压（VGS/V）达到12V时，此MOSFET可以实现有效的开关控制。此外，其导通电阻（RDSON/mR）仅为320毫欧，这意味着在导通状态下，该元件能有效地减少能量损耗，提高电路效率。这些特性使得它非常适合用于一般电子设备中的电源管理及信号放大等应用场景中。
- 商品型号
- HFDG6332C
- 商品编号
- C42401344
- 商品封装
- SOT-363(SC-70-6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
HFDG6332C采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 0.75A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 380mΩ
- VDS = -20V,ID = -0.66A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 570mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机