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HFQPF7N65C
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET提供7A的最大连续排水电流（ID/A），并能承受高达650V的漏源电压（VDSS/V），适合应用于需要高压保护的电路设计中。其导通电阻（RDSON）为1200毫欧（mΩ），虽然较高，但在不需要大电流通过的情况下，仍能有效控制损耗。支持最大±30V的栅源电压（VGS/V），使其能够在各种供电条件下稳定工作。适用于高压直流转换、消费电子设备中的开关电源及电池保护电路等领域。
- 商品型号
- HFQPF7N65C
- 商品编号
- C42401334
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 93pF |
商品概述
HFQPF7N65C可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F,符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 650 V,ID = 7 A
- RDS(ON) < 1.4 Ω @ VGS = 10 V
应用领域
-适配器和充电器的电源开关电路。