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HSTF10N65K3
耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）具有10A的连续漏极电流（ID）和650V的最大漏源电压（VDSS），适用于需要高电压耐受能力的应用场景。其导通电阻（RDSON）仅为0.86Ω，在导通状态下可有效降低功耗。该MOSFET设计有30V的最大栅源电压（VGS），确保了在各种工作条件下的可靠性能。此元件适合用于一般电子产品中的电源管理、逆变电路以及便携式设备的电池保护等领域。
- 商品型号
- HSTF10N65K3
- 商品编号
- C42401335
- 商品封装
- TO-220F(TO-220FP)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.568克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 860mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.642nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 128pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |