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HSTR2N2VH5
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有6A的漏极电流（ID）承载能力，最大工作电压（VDSS）为20V，适用于多种电子装置。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，在12V的栅源电压（VGS）条件下表现出色，能够显著降低电力传输过程中的能量损失。该MOSFET适用于消费类电子产品中的电源管理模块、便携设备的电池保护电路以及需高效能开关的应用场景，是设计中实现高效率与稳定性的理想元件。
- 商品型号
- HSTR2N2VH5
- 商品编号
- C42401340
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 295pF |