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HDMN62D0UDWQ13
N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）的设计参数包括：最大工作电流（ID）为0.1A，漏源极间最大电压（VDSS）为60V，导通状态下的漏源电阻（RDSON）为1300毫欧，以及所需的栅源电压（VGS）为20V。该MOSFET适用于多种电路设计中作为开关或放大元件，特别是在需要精确控制的小电流应用中，例如电池供电的装置或是家用电器内的微控制器接口等。
- 商品型号
- HDMN62D0UDWQ13
- 商品编号
- C42401342
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
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