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H2N7002DWS7
N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的额定电流（ID），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为1.3Ω，在20V的栅源电压（VGS）下工作。该MOSFET适用于要求低功耗和高效率的应用场景，如便携式设备、消费电子产品中的电源管理及信号处理领域，能有效提升系统的整体性能。
- 商品型号
- H2N7002DWS7
- 商品编号
- C42401341
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
H2N7002DWS7采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V,漏极电流ID = 0.115A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 3Ω
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机
- 双N沟道MOSFET