温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HDMP2225LQ7
耐压:20V 电流:2.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有2.3A的连续漏极电流（ID），适用于需要精确电流控制的应用。其最大漏源电压（VDSS）为20V，适合用于低压系统。导通电阻（RDSON）为120毫欧，能够在导通时维持较低的功耗。该MOSFET的最大栅源电压（VGS）为12V，提供了可靠的驱动保障。此类元件广泛应用于消费电子领域，如在电源管理电路、便携设备的负载开关以及电池保护电路中。
- 商品型号
- HDMP2225LQ7
- 商品编号
- C42401338
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 152mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单