温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSI2306BDST1E3
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该场效应管（MOSFET）为N沟道类型，具备5.8A的连续漏极电流（ID），可在最高30V（VDSS）的电压下工作。其导通电阻（RDSON）仅为28毫欧，在12V的栅源电压（VGS）驱动下能够有效降低功耗。此MOSFET适用于设计要求高效能与低能耗的应用场合，如便携式设备、消费电子产品中的电源管理及信号开关等。其出色的电气特性使其成为高性能电路设计的理想选择。
- 商品型号
- HSI2306BDST1E3
- 商品编号
- C42401339
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSI2306BDST1E3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 5.8A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 30 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源