温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HIPD25N06S4L30
N沟道 耐压:60V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID），适用于要求较高电流承载能力的设计。其最大漏源电压（VDSS）为60V，适用于低压大电流应用环境。导通状态下的低电阻（RDSON）仅22毫欧，有助于减少电力损耗，提高效率。最大栅源电压（VGS）为20V，提供稳定的控制信号范围。该MOSFET适用于消费电子产品中，如开关电源、LED照明驱动及电池管理系统等场合。
- 商品型号
- HIPD25N06S4L30
- 商品编号
- C42401337
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单