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HIPD220N06L3GBTMA1
耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）设计用于高效率的电流控制应用，支持高达50A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）。其15毫欧的导通电阻（RDON）在20V栅源电压（VGS）下表现出色，有效减少了功率损失，提升了系统效率。该MOSFET适用于电源供应、电池管理及电子设备中的快速开关操作，确保了设备运行的稳定性和安全性。
- 商品型号
- HIPD220N06L3GBTMA1
- 商品编号
- C42401336
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.429293克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.498nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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