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HIRFZ44NSTRLPBF
N沟道 耐压:55V 电流:49A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备49A的连续排水电流（ID/A），能够承受高达55V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为9毫欧（mΩ），有助于降低功耗，在高负载条件下依然保持高效能。该器件支持最大±20V的栅源电压（VGS/V），增强了操作灵活性。适用于消费电子产品中的电源转换与管理，以及便携设备中的负载开关等功能。
- 商品型号
- HIRFZ44NSTRLPBF
- 商品编号
- C42401332
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.282克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
HIRFZ44NSTRLPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 55V,ID = 49A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 13mΩ
应用领域
- 开关应用
- 逆变器系统的电源管理