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HIRFP450PBF
N沟道 耐压:500V 电流:14A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET具有14A的最大漏极电流，适用于中低功率应用场景。其高达500V的最大漏源电压使其在需要高压处理的电路设计中表现出色。尽管导通电阻为430mΩ，相对较高，但在特定条件下仍能提供可靠的性能。栅源电压支持至20V，保证了良好的驱动灵活性。该MOSFET适合于消费电子、家用电器等领域的电源开关及控制电路，能够满足对高电压有一定要求且需保持系统稳定性的需求。
- 商品型号
- HIRFP450PBF
- 商品编号
- C42401333
- 商品封装
- TO-247S
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 720pF |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
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