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HHUF76429D
耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有30A的连续漏极电流（ID）能力，最大漏源电压（VDSS）为60V，并能在20V的栅源电压（VGS）下工作。其导通电阻（RDSON）仅为0.022Ω，有效降低了导通状态下的能量损耗，提高了系统的整体效率。该MOSFET适用于消费电子产品的电源管理，如电池充电控制、直流电机驱动以及其他需要高效能电力转换的应用场合。
- 商品型号
- HHUF76429D
- 商品编号
- C42401280
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF@48V | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF@48V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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