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HFDD5810
耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET拥有30A的导通电流（ID/A），能够承受60V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）下工作。此MOSFET适用于各类电子装置中的电源管理，例如在电池充电控制、DC/DC转换器以及便携式电子产品的电源路径管理中，它能够提供可靠的开关性能。其低导通电阻有助于减少电力损耗，从而提高整体效率，并且在高频应用中表现出色。
- 商品型号
- HFDD5810
- 商品编号
- C42401287
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HFDD5810采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 30 A
- RDS(ON) < 26 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源