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HDMNH6008SPS
耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的最大持续电流（ID/A），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS/V）。导通电阻仅为5.3毫欧（RDSON/mΩ），可在高功率应用中减少能量损失。此MOSFET的栅源电压（VGS/V）额定值为25V，确保了可靠的开关性能。适用于要求高效能和低功耗的应用场景，如便携式设备电源管理或消费电子产品中的电流控制等。
- 商品型号
- HDMNH6008SPS
- 商品编号
- C42401309
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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