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HSiR804DP
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的最大连续漏极电流（ID）与30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高电流需求的电路中。其低至4.7毫欧的导通电阻（RDON）在20V栅源电压（VGS）条件下工作，显著降低了功率损耗，提高了能效。该MOSFET适用于各种需要高效开关或调节电流的应用场合，如电源转换、信号处理等领域，确保了系统的稳定性和可靠性。
- 商品型号
- HSiR804DP
- 商品编号
- C42401313
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.153535克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
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