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HSQ4425EYT1GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）的最大工作电流（ID/A）为12A，工作电压（VDSS/V）最高可达30V。其导通电阻（RDSON/mR）为10毫欧姆，在栅极电压（VGS/V）达到20V时表现出优良的导通特性。该MOSFET适用于消费电子产品中的负载开关、电源管理和信号切换等应用，能够在要求低功耗和高可靠性的电路设计中发挥关键作用。
- 商品型号
- HSQ4425EYT1GE3
- 商品编号
- C42401320
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSQ4425EYT1GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -12A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源