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HSIR882DPT1GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID/A），可在高达100V的漏源电压（VDSS/V）下正常操作。其导通电阻（RDSON/mR）仅6.4毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）条件下，有效降低了导通时的功耗。该MOSFET适用于消费电子产品中的开关电源、DC/DC转换器及各类负载开关应用，有助于提升系统的整体效率与可靠性。
- 商品型号
- HSIR882DPT1GE3
- 商品编号
- C42401322
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
HSIR882DPT1GE3采用先进的SGT MOSFET技术,具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V
- 漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用