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HSi2351DS
耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 该P沟道场效应管(MOSFET)拥有2.3A的持续漏极电流(ID)能力，能够承受最高20V的漏源电压(VDSS)，适用于对功率要求适中的应用场景。其导通电阻仅为120mΩ(RDON)，有助于减少工作时的热损耗。此MOSFET支持高达12V的栅源电压(VGS)，确保了在多种电路设计中灵活可靠的操作性能。它适合用于消费电子设备、家用电器等场合，在这些领域内可作为高效的开关或信号控制元件使用。
- 商品型号
- HSi2351DS
- 商品编号
- C42401325
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 152mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
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