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HSQ4425EY
耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 这款场效应管（MOSFET）属于P沟道类型，其最大工作电压（VDSS）为30V，能够承受的最大栅源电压（VGS）为±20V。该器件在导通状态下的漏源电阻（RDSON）仅为10毫欧（mΩ），当电流达到12A（ID/A）时，显示出良好的导电性能。此MOSFET适用于需要高效能开关的应用场合，如消费类电子产品中的电源管理或信号放大等，能够在确保系统稳定的同时减少能量损耗。
- 商品型号
- HSQ4425EY
- 商品编号
- C42401329
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
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