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HNP22N055SLE
耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET拥有30A的最大漏极电流能力，能够满足中等功率应用的需求。其60V的最大漏源电压使其适用于多种低压环境下的电路设计。导通电阻为22mΩ，有助于降低功耗并提高整体效率。此外，支持高达20V的栅源电压，确保了良好的驱动兼容性。该MOSFET适合用于消费电子产品、家用电器以及各种需要精确控制与高效能源管理的场合，是实现稳定可靠的开关和电源管理功能的理想选择。
- 商品型号
- HNP22N055SLE
- 商品编号
- C42401330
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
HNP22N055SLE采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 30 A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 26 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源