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H2N7002KU
N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有0.1A的漏极电流(ID)处理能力，能够承受高达60V的漏源电压(VDSS)，适用于对电压要求较高但电流较小的应用场景。其导通电阻为1300mΩ(RDON)，虽然相对较高，但对于低功耗设备而言仍可接受。该MOSFET支持20V的栅源电压(VGS)，保证了良好的开关性能与稳定性。它适合用于消费电子产品、家用电器等场合，在这些应用中作为可靠的开关或信号控制元件使用。
- 商品型号
- H2N7002KU
- 商品编号
- C42401328
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 20 个)个
起订量：20 个3000个/圆盘
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