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HSQD23N0631L
N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的连续排水电流（ID），能够承受最高60V的漏源电压（VDSS），其导通电阻（RDSON）仅为27毫欧，在栅源电压（VGS）为20V的情况下表现出良好的导电性能。该MOSFET适用于需要高效能开关的应用中，如电源管理、便携式设备中的负载开关以及需要快速切换状态的电路设计。其低导通电阻有助于减少功耗，适合追求高效率转换的电子产品。
- 商品型号
- HSQD23N0631L
- 商品编号
- C42401324
- 商品封装
- TO-252-2L(TO-252AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
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购买数量
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