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HZXMP3A16DN8TA
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）支持最高5.3A的连续漏极电流（ID/A），并在30V的漏源电压（VDSS/V）下可靠工作。其导通电阻（RDSON/mR）为35毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）下提供稳定的性能。此MOSFET适用于便携设备、消费电子产品中的电源管理电路，如电池充电控制、LED驱动器等领域，能够实现精确的电流控制与高效的能量转换。
- 商品型号
- HZXMP3A16DN8TA
- 商品编号
- C42401323
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
HZXMP3A16DN8TA采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 30V,漏极电流ID = - 5.3A
- 当栅源电压VGS = - 10V时,导通电阻RDS(ON) < 42mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关