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HIRFB4321PBF
耐压:150V 电流:120A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID/A）能力，在最大150V的漏源电压（VDSS/V）下能够稳定工作。其导通电阻（RDSON/mR）仅为9.5毫欧，在20V的栅源电压（VGS/V）驱动下，确保了低损耗高效能。此MOSFET适用于高功率密度转换器、电源管理模块以及便携式设备中的电池保护电路等场合，为设计者提供了高性能的选择。
- 商品型号
- HIRFB4321PBF
- 商品编号
- C42401321
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.523636克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HIRFB4321PBF采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 150 V
- 漏极电流ID = 120 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 11.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用