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HSQD23N0631LT4GE3
N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的连续电流承载能力，最大可承受的漏源电压（VDSS）为60V。其导通电阻（RDSON）仅为27毫欧，在同类产品中表现出较低的导通损耗特性，有助于提高电路效率并减少热量产生。工作栅源电压（VGS）的最大值为20V，确保了可靠的开关性能。此MOSFET适用于要求高效能和低热耗的应用环境，如消费电子产品中的电源管理、便携式设备的电池保护以及通用型开关电源设计中。
- 商品型号
- HSQD23N0631LT4GE3
- 商品编号
- C42401315
- 商品封装
- TO-252-2L(TO-252AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.393克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
HSQD23N0631LT4GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 60 V，漏极电流 = 20 A
- 栅源电压 = 10 V时，漏源导通电阻 < 32 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源