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HBSC065N06LS5
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 该场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大工作电流（ID/A）可达80A，而最大工作电压（VDSS/V）为60V。导通电阻（RDSON/mR）仅为5.3毫欧姆，在25V的栅极电压（VGS/V）下能够确保良好的导电性能。此MOSFET适用于需要高效能与低损耗的应用场景中，如电源管理、电池充电电路以及便携式设备等，能够在确保系统稳定性的同时提供高效的功率转换。
- 商品型号
- HBSC065N06LS5
- 商品编号
- C42401318
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
商品概述
HBSC065N06LS5采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 80A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 7mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源