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HSQD25N0622L
耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 此款MOSFET为N沟道类型，具备30A的连续漏极电流（ID/A）处理能力，在60V的最大漏源电压（VDSS/V）下能够稳定工作。其导通电阻（RDSON/mR）仅为22毫欧姆，在20V的最大栅源电压（VGS/V）驱动下，可以实现高效能的电流切换与控制。适用于需要高效率能量转换的应用中，如便携式电子产品中的电源管理模块或消费类电子设备的开关电源设计。该MOSFET的特性使其成为设计紧凑且高性能电路的理想选择。
- 商品型号
- HSQD25N0622L
- 商品编号
- C42401312
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSQD25N0622L采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 30 A
- RDS(ON) < 26 mΩ@ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源