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HSI2367DST1GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET具有3A的连续漏极电流（ID/A），可在高达20V的漏源电压（VDSS/V）环境下可靠操作。其导通电阻（RDSON/mR）为60毫欧姆，在12V的栅源电压（VGS/V）条件下展现出良好的导电性能。适用于多种低功率需求的场合，例如消费电子产品的负载开关或电池供电设备中的电源路径管理，其低功耗特性有助于延长设备的运行时间。此元件的小型化和高效性使其成为设计精密电子装置时的重要组件。
- 商品型号
- HSI2367DST1GE3
- 商品编号
- C42401314
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 103mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSI2367DST1GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V,漏极电流ID = -3A
- 在栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 80mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源