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HRRH090P03
耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET具备12A的最大持续电流（ID/A），并能承受30V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）为10毫欧，有效降低了导通状态下的电力损耗。栅源电压（VGS/V）为20V，保证了良好的开关性能。适用于各种需要高效能和稳定性的电路设计，如日常电子设备中的电源管理模块或是消费性产品的负载保护电路。
- 商品型号
- HRRH090P03
- 商品编号
- C42401311
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
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