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HRS3E075AT
耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）设计有11A的最大持续电流（ID/A），并且能够承受高达30V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mΩ）为13毫欧，有助于降低工作时的功耗。该MOSFET的栅源电压（VGS/V）为20V，确保了稳定的开启与关闭特性。适用于需要精确电流控制的应用，例如家用电器中的电子调光器或者电池供电设备的负载开关等。
- 商品型号
- HRS3E075AT
- 商品编号
- C42401310
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSI2367DST1GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -3A
- 在栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 80mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源