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HFTK3420

耐压:20V 电流:9A

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描述
这款N沟道场效应管(MOSFET)拥有6A的连续漏极电流(ID)能力和20V的漏源电压(VDSS),适用于多种电子设备。其导通电阻(RDON)仅为22毫欧姆,保证了低功耗运行,同时12V的栅源电压(VGS)确保了良好的开关性能。此款MOSFET设计紧凑,适合用于需要高效能转换的应用场景中,如电源管理、消费电子产品及小型装置等。
商品型号
HFTK3420
商品编号
C42401307
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))27mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
栅极电荷量(Qg)15nC@4.5V
输入电容(Ciss)500pF@8V
反向传输电容(Crss)96pF@8V
工作温度-55℃~+150℃
配置-

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 20 个)
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