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HFTK3420
耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)拥有6A的连续漏极电流(ID)能力和20V的漏源电压(VDSS)，适用于多种电子设备。其导通电阻(RDON)仅为22毫欧姆，保证了低功耗运行，同时12V的栅源电压(VGS)确保了良好的开关性能。此款MOSFET设计紧凑，适合用于需要高效能转换的应用场景中，如电源管理、消费电子产品及小型装置等。
- 商品型号
- HFTK3420
- 商品编号
- C42401307
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HFTK3420采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V,漏极电流ID = 6A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 27mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源