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HAOTF8N65
N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有10A的最大工作电流（ID/A），能够承受高达650V的漏源电压（VDSS/V），适用于高电压应用场合。其导通电阻（RDSON/mR）为860毫欧姆，在大电流通过时可保持较低的功率损耗。栅源电压（VGS/V）的绝对值可达30V，提供了宽泛的驱动信号范围。此MOSFET适合用于需要处理较高电压与较大电流的应用，例如在消费电子产品的电源转换或保护电路中。
- 商品型号
- HAOTF8N65
- 商品编号
- C42401304
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.551克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 860mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.642nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 128pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |