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HFTK4953
P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- 这款P+P沟道场效应管(MOSFET)设计用于需要精确控制的应用场景，其连续漏极电流能力达到5.3A，最大漏源电压为30V。该器件的导通电阻为35mΩ，有助于降低功耗和提高系统效率。栅源电压范围为20V，确保了良好的驱动兼容性和可靠性。适用于诸如便携式设备、家用电器等对尺寸敏感且要求高效能表现的电子装置中，能够提供稳定的开关操作与优异的热管理性能。
- 商品型号
- HFTK4953
- 商品编号
- C42401305
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126263克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HFTK4953采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -5.3A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 42mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 85mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关