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HAO3456
N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为5.8A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至22mΩ，栅源电压VGS为20V。该器件适用于需要高效开关和功率控制的各类电子设备，能够提供稳定可靠的性能支持。其低导通电阻特性有助于减少能量损耗，提高系统效率。广泛应用于电源管理、电池供电设备、消费类电子产品及通信设备中的功率转换与控制电路中，是一款高性能的基础半导体器件。
- 商品型号
- HAO3456
- 商品编号
- C42401306
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
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