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HAO3423
耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）提供2.3A的连续漏极电流（ID/A），适用于需要精确电流控制的应用。其最大工作电压（VDSS/V）为20V，适合在低压系统中使用。导通电阻（RDSON/mR）为120毫欧，使得在导通状态下的功耗较低。栅源电压（VGS/V）最大值为12V，提供了稳定的驱动条件。此MOSFET可用于便携式设备、电池保护电路或任何需要高效能低功率切换的应用中。
- 商品型号
- HAO3423
- 商品编号
- C42401301
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 152mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
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