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HRQ5C025TPTL
耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有3A的最大连续漏极电流（ID）和20V的漏源击穿电压（VDSS），适用于多种电路设计。其导通电阻（RDON）仅为60毫欧，在12V栅源电压（VGS）下能够提供高效的电流控制能力，减少能量损耗。该元件适合用于电源管理、信号切换等应用场景，确保稳定可靠的性能表现。
- 商品型号
- HRQ5C025TPTL
- 商品编号
- C42401302
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
HSI1926DLT1E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 0.115A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 3Ω
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机