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HDMNH6008SPSQ13
耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80A的连续漏极电流（ID）处理能力，能够在最高60V的漏源电压（VDSS）下工作。其导通电阻（RDSON）低至5.3毫欧，确保了高效率的能量转换。该MOSFET支持最大±25V的栅源电压（VGS），适用于大功率应用，例如高性能计算设备中的电源管理系统、可再生能源技术中的逆变器电路以及需要快速切换频率的PWM控制器等场合，提供可靠的电流调节和保护功能。
- 商品型号
- HDMNH6008SPSQ13
- 商品编号
- C42401295
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |