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HRS3E075ATTB
耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 此款MOSFET为P沟道类型，具有11A的连续漏极电流（ID/A），可承受的最大漏源电压（VDSS）为30V。其导通电阻（RDSON）仅为13毫欧，适用于需要低损耗导通的应用。栅源电压（VGS）最大可达±20V，确保了良好的驱动性能与控制精度。该MOSFET适用于需要高效能、高可靠性开关的应用场合，如便携式电子产品中的电源管理或消费类电子设备中的信号开关等。
- 商品型号
- HRS3E075ATTB
- 商品编号
- C42401296
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HRS3E075ATTB采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -11A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 16mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源