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HRRH090P03GZETB
耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET具备12A的漏极电流（ID/A），最高工作电压（VDSS）为30V，导通状态下漏源之间的电阻（RDSON）低至10毫欧，有助于减少能量损失。其栅源电压（VGS）额定值为±20V，便于电路设计中的精确控制。该MOSFET适合应用于要求高效转换与稳定性的电子产品中，例如日常家用电器内的电源管理系统或智能设备中的负载开关电路。
- 商品型号
- HRRH090P03GZETB
- 商品编号
- C42401297
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HRRH090P03GZETB采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -12A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源