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HSQD25N0622LGE3
耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET拥有30A的连续漏极电流（ID/A）能力，能够承受高达60V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，有效降低了导通状态下的功耗。栅源电压（VGS）的最大范围为±20V，提供了可靠的驱动性能。该MOSFET适用于多种需要快速开关及高效能的应用场景，如个人电子设备中的DC/DC转换器或家庭娱乐系统的电源管理模块。
- 商品型号
- HSQD25N0622LGE3
- 商品编号
- C42401298
- 商品封装
- TO-252-2L(TO-252AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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