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HSI2351DST1GE3
耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管支持2.3A的连续漏极电流，具备20V的最大漏源电压能力。其导通电阻为120毫欧姆，确保了在工作时具有较低的能量损耗。栅源电压范围达到12V，适合于需要高精度控制的应用场合。由于其优良的电气特性和可靠性，该MOSFET非常适合用于消费电子产品及家用设备中的电源管理电路、负载开关以及其他要求高效能转换和稳定工作的电子设计中。
- 商品型号
- HSI2351DST1GE3
- 商品编号
- C42401289
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 152mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
HSI2351DST1GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -2.3A
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 115mΩ
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 152mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关